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【项目融资】氮化镓外延片

发布时间: 2022-12-02

基本信息

合作方式： 股权融资
成果类型： 新技术
行业领域：
新材料技术
成果介绍
氮化镓(GaN)是最具代表性的第三代半导体材料，为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一，是迄今为止理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。由于该材料生长速率慢，反应副产物多，生产工艺复杂，大尺寸单晶生长困难，目前氮化镓单晶生长尺寸在2英寸和4英寸，一般不作为衬底材料，而是采用异质外延技术生长GaN-on-SiC器件、GaN-on-Si器件以及蓝宝石基氮化镓外延器件等。
成果亮点
本项目以有机金属化学气相沉积(MOCVD)外延生长为核心技术，结合自主研发的平片技术：即可不对Si衬底进行任何蚀刻处理，直接生长GaN多层薄膜，节省了大量的人工成本和设备成本，也避免了预处理工艺带来的局限性和副作用。其研发的氮化镓外延片多层薄膜的总体厚度小于2μm、表面粗糙度小于Ra30nm、薄膜结晶度小于500 arcsec，已经达到国内领先水平，并满足工业量产标准。现已完成6寸硅基氮化镓外延片试产，已形成可量产的中试产品，量产在即。
团队介绍
项目核心团队在氮化镓外延片全产业链条中深耕多年，掌握了氮化镓材料生长的工艺原理，拥有先进的技术及自主知识产权。首席科学家毕业于美国匹兹堡大学，曾任美国空军基地Sandia国家实验室CINT纳米研究中心项目负责人，曾主持科技部国际合作重点研发项目、美国空军基地Sandia国家实验室CINT纳米研究中心项目、国家自然科学青年基金项目等多项。
成果资料