科创中国

行业领域

新一代信息技术产业,电子核心产业

需求背景

随着新型材料技术的发展，高频率(如毫米波频段)有源微波电路的实现成为可能，它们也直接导致了混合微波集成电路(HMIC)和单片微波集成电路的产生特别是在上个世纪九十年代后期，随着可应用于190GHz的磷化铟高电子迁移率晶体管和95GHzInPHEMT功率放大器的实现，标志着可应用于毫米波频段的毫米波单片集成电路的实现成为可能。同一时期出现的微电子机械系统技术将三维机械加工的精度提高到毫米甚至是微米级别，从而使得有源电路和无源电路可以紧密地集成在同一个系统之中，它导致了集成系统封装(SOP)和片上系统(SOC)的出现。目前SOP技术的一个突出的困难是微波系统中需要的高Q值的无源器件，如滤波器、谐振器和双工器等器件难以实现。因为集成电路所用的半导体衬底都具有较小的电阻率，并且温度对半导体的导电性能影响很大，当温度升高时，半导体的导电性将迅速提高，所以温度对半导体的导电性有很大的影响。

需解决的主要技术难题

随着现代微波毫米波电路系统的高速发展，其功能越来越复杂、电性能指标越来越高，同时其体积越来越小、重量越来越轻;整个系统迅速向小型化、轻量化、可靠性、多功能性和低成本方向发展。低成本、高性能、高成品率的微波毫米波技术对于开发商业化的低成本微波毫米波宽带系统非常关键。因此，迫切需要发展新的微波毫米波集成技术；基片集成波导兼具了矩形波导和微带器件的优点，即具有低辐射、低损耗、高功率容量、品质因数高、 小型化和易连接等优点。另外，基片集成波导的生产可以利用普通PCB工艺、LTCC工艺、甚至薄膜电路工艺精确实现，而且与传统工艺相比，其成本很低。

期望实现的主要技术目标

用半导体制成的半导体器件在实际工作时，必须注意温度的影响，必须要限制半导体器件的温度不超过一定值。在微波毫米波频段上半导体衬底弓|起的涡流损耗很大，导致Q值下降的主要原因除了衬底的涡流损耗外，在硅衬底中产生的寄生电容也是一个不可忽视的因素 ，实现易于集成、体积小、重量轻、容易加工、造价低和高Q值的无源器件。

按照技术指标要求完成8个换向波导加工；提供所有相关技术资料、文档及测试结果。

处理进度